Module amplificateur de puissance RF GaN 100 W, 2 000 à 2 700 MHz

Module amplificateur RF GaN 2 000 à 2 700 MHz, sortie nominale 100 W, boîtier en aluminium et connexions filaires.
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Description

Amplificateur de puissance RF GaN 2 000 à 2 700 MHz

Ce produit est la variante 2 000 à 2 700 MHz d'une série d'amplificateurs RF GaN. Il a une puissance de sortie nominale de 100 W et un boîtier en aluminium.

Spécifications répertoriées
Gamme de fréquences : 2 000 à 2 700 MHz
Puissance de sortie : 50 ±0,5 dBm (nominal 100 W)
Tension de fonctionnement : 24-32 V
Gain : 45 à 50 dB
Température de fonctionnement : −40 degrés à +55 degrés
Dimensions : 156,5 × 64,7 × 24,5 mm, hors connecteurs
Poids indiqué : 0,65 kg

Les images montrent les produits de la série d'amplificateurs. Confirmez le boîtier, les connecteurs et les spécifications pour la configuration 2 000-2 700 MHz avant de commander.

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